内存制造商致力于降低功耗，助力高性能计算

据韩国 Chosun Biz 报道，三星电子和 SK 海力士等内存制造商正在专注于研究降低内存功耗的技术。在高性能计算中，HBM（高带宽内存）和DDR5等内存的重要性逐渐上升，但内存功耗问题也变得越来越突出。

在构建人工智能模型时，数据中心内存功耗问题变得越来越明显。例如，基于英伟达 A100的数据中心平台，DRAM的功耗占总功耗的40%。因此，内存供应商与学术界合作，投资于下一代技术以降低功耗。不过需要注意的是，随着层数的增加，HBM的功耗也可能会增加。

三星基于Compute Express Link技术，推出了采用12纳米工艺的16GB DDR5 DRAM，与上一代产品相比，功耗降低了23%。三星正在与首尔国立大学合作，进一步降低内存功耗。

SK 海力士推出了LPDDR5X，应用了High-K金属栅（HKMG）工艺于移动DRAM。高k材料的介电常数比传统的SiON绝缘膜高出约五倍，可以在相同的面积和厚度下存储五倍的电荷，并有助于减少电流泄漏。通过控制泄漏电流，SK 海力士的LPDDR5X速度提高了33%，功耗比上一代产品降低了20%以上。

此外，韩国的研究机构也在积极探索以降低功耗密度为目标的新技术。首尔国立大学提出了DRAM Translation Layer技术，预计可以将DRAM的功耗降低31.6%。