9代闪存共1篇
三星电子计划明年推出超300层第9代V-NAND闪存,领先于SK海力士-山海云端论坛

三星电子计划明年推出超300层第9代V-NAND闪存,领先于SK海力士

根据DigiTimes的报道,据悉,三星电子计划于明年推出第9代V-NAND闪存,这次的闪存将延续双层堆栈架构,层数将超过300层。据报道指出,这一举措将使三星在技术发展方面领先于SK海力士。SK海力士...
凌风的头像-山海云端论坛钻石会员凌风6个月前
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