三星电子计划明年推出超300层第9代V-NAND闪存，领先于SK海力士

根据DigiTimes的报道，据悉，三星电子计划于明年推出第9代V-NAND闪存，这次的闪存将延续双层堆栈架构，层数将超过300层。

据报道指出，这一举措将使三星在技术发展方面领先于SK海力士。SK海力士计划在2025年上半年开始量产三层堆栈架构的321层NAND闪存。早在2020年，三星就率先引入了双层堆栈架构，推出了第7代V-NAND闪存芯片。

具体而言，双层堆栈架构是指在300mm晶圆上构建一个3D NAND堆栈，然后在第一个堆栈的基础上添加另一个堆栈。

新推出的超过300层的第9代V-NAND将显著提升单个晶圆上的存储密度，从而降低固态硬盘的制造成本。

值得一提的是，作为竞争对手，SK海力士的三层堆栈架构则采用了三组不同的3D NAND层，这种方法增加了制造步骤和原材料的使用，旨在最大程度地提高产量。

另据首尔经济日报的报道，业内专家认为，在推出第9代3D NAND后，三星有望在第10代推出430层的3D NAND，将采用三层堆栈架构。据该报道援引业内人士的观点，如果3D NAND的层数超过400层，将会导致原材料使用量和晶圆制造成本的大幅增加，但同时也能保障更大的产量。

在2022年举行的“2022三星科技日”上，三星曾提出其长远愿景，即希望在2030年将3D NAND的层数提升至1000层。这一目标展示了三星在存储技术领域的雄心壮志。